Методы и средства электромагнитного поражения радиоэлектронных средств

Рис.1.4 Критериальные уровни поражения полупроводниковых элементов

Из рисунка видно, что минимальные критериальные уровни (наиболее уязвимы при воздействии мощного СВЧ - излучения) имеют СВЧ - диоды, используемые во входных трактах приемников (в преобразователях частоты), а максимальные уровни - мощные транзисторы, используемые в источниках питания.

Экспериментально установлено, что среди интегральных микросхем (ИМС) малого и среднего уровня интеграции наименьшие критериальные уровни поражения у ИМС с планарными выводами и ИМС с барьером Шоттки. Еще более уязвимы большие интегральные микросхемы (БИС), имеющие значительное число элементов на одном кристалле и весьма малые размеры отдельных p-n-p и МОП - переходов, а также токоведущих линий.

Перейти на страницу: 1 2 3 

Прочтите также:

Освоение метода измерения давления с помощью тензорезистивного датчика
В аэродинамических исследованиях иногда необходимо вводить контролируемые возмущения в поток. Одним из способов введения возмущений является высокочастотный электрический тлеющий разряд ...

Расчёт схемы с операционным усилителем
Рассчитать схему на операционном усилителе - неинвертирующий усилитель переменного тока. Исходные данные: № Вар-та Схема рис. RG1, кОм ...

Разработка модема и кодека для системы передачи данных
Система сбора и передачи информации предназначена для трансляции на удаленные пункты, а также контроля информации (видео, тревожной, голосовой, передачи данных Ethernet) посредс ...

Основные разделы

2021 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru