Основные технологические операции

Изолирующие диэлектрические пленки должны иметь высокое напряжение пробоя, низкие диэлектрическую постоянную и потери, минимальное химическое взаимодействие с прилегающими пленками, низкий уровень механических напряжений, низкую плотность связанного электрического заряда, высокую химическую стабильность и технологичность при получении пленок и создании рисунка. Недопустимым является наличие сквозных микроотверстий, которые могут привести к короткому замыканию между слоями металлизации.

Технология многоуровневой металлизации включает формирование первого уровня металлизации, получение изолирующего слоя с последующим вскрытием межуровневых контактных окон, формирование второго слоя металлизации и т.д.

Многие серийно выпускаемые ИМС изготавливаются на основе алюминиевой металлизации с изолирующими слоями SiO2 [2]. Пленки диоксида кремния могут осаждаться как с легирующими добавками, так и без них. Важнейший параметр при осаждении SiO2 - воспроизводимость рельефа (рисунок 9).

Рисунок 9-Конформное воспроизведение. Толщина пленки на стенках ступеньки не отличается от толщины на дне и поверхности. Обусловлено быстрой поверхностной миграцией [6]

В данном проекте в качестве изолирующей пленки между многоуровневой металлизацией используется нелегированный диоксид кремния, наносимый методом химического осаждения из газовой фазы (рисунок 10). Последний основан на использовании явления пиролиза или химических реакций при формировании пленок изолирующего материала.

Рисунок 10 - Установка формирования пленок методом химического осаждения из газовой фазы при нормальном давлении [6]

В качестве химически активного газа применяют моносилан SiH4 и кислород, а в качестве буферного газа - азот.

SiH4 + O2 → SiO2 + 2H2

Такой процесс является самым низкотемпературным для получения качественных диэлектрических слоев SiO2 (реакцию проводят в диапазоне температур 200-400ºС). Недостатком является горючесть и взрывоопасность силана. Пленки формируются очень чистыми, но из-за низких температур получаются неплотными. Во избежание этого нужно строго регулировать концентрацию силана в газовой фазе и подавать его непосредственно на поверхности пластин, предотвращая рост SiO2 в газовой фазе [1].

Тема проекта: Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем

Тип технологии: МОП транзистор с диодом Шоттки

Материал подложки: Si

Исходные данные по проекту:

Размер кристалла (чипа) 10х10 мм2

Минимальная проектная норма элемента ИС 0,3мкм

Плотность дефектов на слой 0,1деф/см2

Число слоев металлизации 1

Вычисление процента выхода годных структур на пластине (Y) производится по следующей формуле:

,

где D0 - удельная плотность дефектов, приходящихся на одну фотолитографию, деф/см2; A - активная площадь кристалла, см2; F - число фотолитографических процессов в полном технологическом цикле изготовления ИС.

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7

Прочтите также:

Проект зональной сети передачи данных
Система передачи данных - система, предназначенная для передачи информации как внутри различных систем инфраструктуры организации, так и между ними, а также с внешними системами. Опреде ...

Система охранной сигнализации
охранный сигнализация микроконтроллер Развитие микроэлектроники и широкое применение ее изделий в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми разнообразными объе ...

Расчет параметров фильтра для устранения помех связи
Центральной проблемой радиотехники была и остается проблема помехоустойчивости связи. Система связи должна спроектирована так, чтобы она обладала способностью наилучшим образом пр ...

Основные разделы

2020 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru