Основные технологические операции

В качестве первого слоя металлизации на оксиде чаще всего используют тугоплавкие металлы, особенно молибден и ванадий. Имя большую проводимость, чем другие тугоплавкие металлы, они отличаются высокой стабильностью, хорошей адгезией, легко травятся при фотолитографии. Должны обладать малой растворимостью в материале подложки и создавать хороший омический контакт с полупроводником, небольшим пороговым напряжением. Вторым слоем обычно служит алюминий, а в особо ответственных устройствах - золото. Он должен быть высокопроводящим.

Последний по порядку нанесения слой металлизации, называемый проводящим слоем, должен иметь хорошую электропроводность и обеспечивать качественное подсоединение контактных площадок к выводам корпуса. Для проводящих слоев применяются медь, алюминий, золото.

Существует множество методов получения металлических пленок. Получение качественных незагрязненных пленок методом термовакуумного напыления сложно[2]. Пленки алюминия, полученные термовакуумным испарением, обладают большой неравномерностью размеров зерен и высоко концентрацией внутри зерен. Их последующая термообработка приводит к миграции атомов металла и скоплению их вокруг крупных частиц с образованием высоких бугорков. Получение рисунков на таких пленках фотолитографией приводит к большим неровностям краев вследствие анизотропии травления по границам зерен. Поэтому для получения линий металлизации очень малой ширины отказываются от термовакуумных процессов [1]. Способ химического осаждения пленок из парогазовой смеси чаще применяется в лабораторных условиях. Электронно-лучевое несмотря на то, что усложняет конструкцию установки, позволяют снизить загрязнение пленок и повысить производительность процесса (рисунок 8). Оптимальная скорость роста пленки составляет 0.5 мкм/мин. С помощью данного метода наносят пленки алюминия и его сплавов, а также Si, Pd, Au, Ti, Mo, Pt, W.

Рисунок 8 - Схема процесса электронно-лучевого испарения [6]

К преимуществам электронно-лучевого испарения относятся:

· возможность использования больших по массе источников (не требуется перезагрузка при нанесении толстых пленок);

· возможность последовательного нанесения различных пленок из соседних источников, расположенных в одной камере;

· высокая скорость роста пленок;

· возможность напыления тугоплавких материалов.

Барьер Шоттки по выполняемым функциям не относится к металлизации, но по технологии формирования его можно отнести к металлизации, т.к. она аналогична получению омических контактов к активным областям. Важнейшим этапом формирования барьеров Шоттки является выбор пары металл - полупроводник и оптимальных режимов.

Итак, для контактного слоя применим силицид платины, который будет нанесен методом электронно-лучевого испарения путем совместного испарения из двух источников. Барьер Шоттки обеспечит сплав титана и вольфрама, нанесенный на кремний тем же методом. По сути, этот сплав будет аналогичен сильнолегированной области. Для проводящего слоя применим алюминий, также нанесенный методом электронно-лучевого испарения.

Межслойная изоляция

Многоуровневая металлизация применяется для БИС и СБИС. Увеличение числа элементов увеличивает и площадь межэлементных соединений, поэтому их размещают в несколько уровней, разделенных изолирующими слоями и соединенными между собой в нужных местах.

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7

Прочтите также:

Разработка макета блокиратора сигнала сотовых телефонов
В нашей стране сотовые телефоны получили такое распространение, что их использование все чаще призывают ограничить. Пока преимущественно в крупных городах. Делать это предлагается с пом ...

Изучение возможности реализации бинарного приёма шумоподобного сигнала
шумоподобный сигнал кодовый связь Общеизвестно, что отличительной особенностью современного общества является его высокая информационность. Благодаря успехам радио и микроэлектроники в на ...

Основы передачи дискретных сообщений
Задача 1. Выбрать метод модуляции и разработать схему модулятора и демодулятора для передачи данных по каналу ТЧ. Рассчитать вероятность ошибки на символ. 1. Отношение сигнал-шу ...

Основные разделы

2020 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru