Основные технологические операции

Очистка подложки

Понятно, что на любой подложке в каком-то количестве присутствуют загрязнения. Это могут быть частицы пыли, молекулы различных веществ, как неорганических, так и органических. Пылеобразные частицы удаляются либо механической кистевой, либо ультразвуковой отмывкой. Применяются методы с использованием центробежных струй. Процедура химической очистки обычно проводится после ликвидации неорганических молекул и атомов, и заключается в удалении органических загрязнений.

Обычная процедура очистки выполняется в смеси H2O-H2O2-NH4OH, которая обеспечивает удаление органических соединений за счет сольватирующего действия гидроксида аммония и окисляющего действия перекиси водорода. Для удаления тяжелых металлов используют раствор H2O-H2O2-HCl. Подобная очистка подложек проводится при температуре ~80ºС в течение 10-20 минут, после чего осуществляется их отмывка и сушка.

Термическое окисление

Под окислением полупроводников понимают процесс их взаимодействия с окисляющими агентами: кислородом, водой, озоном и т.д.

Слой двуокиси кремния формируется обычно на кремниевой пластине за счет химического взаимодействия в приповерхностной области полупроводника атомов кремния и кислорода. Кислород содержится в окислительной среде, с которой контактирует поверхность кремниевой подложки, нагретой в печи до температуры 900 - 1200 °С. Окислительной средой может быть сухой или влажный кислород. Схематично вид установки показан на рисунке 4 (в современных установках пластины в подложкодержателе располагаются вертикально)[6].

Рисунок 4-Схема установки процесса термического окисления

Требования к оборудованию:

1) контролируемая с точностью до 1 градуса температура подложкодержателя;

2) обеспечение плавного повышения и понижения температуры в реакторе (двухстадийный нагрев);

) отсутствие посторонних частиц в реакторе (подложкодержатель сначала вводится в трубу реактора, а затем опускается на дно);

) отсутствие посторонних примесей, в частности, ионов натрия на внутренней поверхности реактора (с целью их удаления проводится предварительная продувка трубы реактора хлором);

) обеспечение введения кремниевых пластин в реактор сразу после их химической очистки.

Химическая реакция, идущая на поверхности кремниевой пластины, соответствует одному из следующих уравнений:

· окисление в атмосфере сухого кислорода (сухое окисление): SiТВ+ O2 = SiO2;

· окисление в парах воды (влажное окисление): SiТВ+2H2O = SiO2 + 2H2;

· термическое окисление в присутствии хлора (хлорное окисление);

· окисление в парах воды при повышенных температуре и давлении (гидротермальное окисление).

При одной и той же температуре коэффициент диффузии воды в диоксиде кремния существенно выше коэффициента диффузии кислорода. Этим объясняются высокие скорости роста оксида во влажном кислороде. Выращивание пленок только во влажном кислороде не применяется из-за плохого качества оксида. Более качественные пленки получаются в сухом кислороде, но скорость их роста слишком мала.

Для маскирования при локальных обработках оксидирование ведут в режиме сухой-влажный-сухой кислород. Для формирования подзатворного диэлектрика МОП-структур применяют сухой кислород, т.к. пленки получаются более качественные.

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6

Прочтите также:

Разработка блока управления пропорциональной электрогидравлической системы
Написание дипломного проекта и последующая его защита является заключительной стадией обучения в высших учебных заведениях. Дипломный проект является обобщающей проверкой всех знаний нак ...

Разработка синтезатора звуковых сигналов с компрессией данных
Целью данного курсового проекта является разработка синтезатора звуковых сигналов с компрессией данных, позволяющего осуществлять воспроизведение звуковых сообщений. Команды управл ...

Охранный комплекс для автомобиля
Целью данной курсовой работы является разработка комплекса устройств охранной сигнализации для автомобиля с использованием микроконтроллеров. На данный момент разработано огромное кол ...

Основные разделы

2020 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru