Основные материалы и реактивы

В течение многих лет основным полупроводниковым материалом, который используется для изготовления интегральных схем, остается монокристаллический кремний. Пластины кремния являются той основой, в поверхностных слоях которой создаются полупроводниковые области с заданными электрофизическими характеристиками. На поверхности кремния формируются диэлектрические слои окислением самого полупроводникового материала или нанесением диэлектриков из внешних источников; образуются структуры многослойной металлизации, защитные, стабилизирующие слои и так далее. Требования к пластинам кремния детально отработаны, существует целый каталог международных стандартов ассоциации SEMI, в то же время продолжается постоянное повышение требований к кремнию, что связано с постоянным стремлением к снижению себестоимости конечного продукта - интегральных схем.

Ниже приведены некоторые геометрические характеристики пластин кремния в соответствии с техническими условиями ЕТО.035.124ТУ, ЕТО.035.206ТУ, ЕТО.035.217ТУ, ЕТО.035.240ТУ, ЕТО.035.578ТУ, ПБЦО.032.015ТУ [5].

Диаметр пластины 100мм.

Ориентация кремниевой подложки (100) имеет преимущество по сравнению с (111), заключающееся с более высокой подвижности электронов, обусловленной низкой плотностью поверхностных состояний на границе кремний-диэлектрик.

Толщина пластины 500 мкм.

Разброс значений толщины в партии ±10 мкм.

Разброс значений толщины по пластине ±12 мкм.

Прогиб 20 мкм.

Отклонение от плоскостности ±5 мкм.

Количество светящихся точек, менее 10

Высокие требования по примесям и механическим частицам предъявляются к деионизованной воде. В таблице 2 приведены выписки из руководящего материала международной ассоциации SEMI с указанием рекомендуемых параметров сверхчистой воды для производства полупроводниковых интегральных схем с минимальным размером элемента 0,8-1,2 мкм. Соответствующая индексация жидких реагентов по стандартам SEMI записывается как SEMI C7.

Значение параметра удельного электрического сопротивления воды должно быть близко к теоретической величине 18,2 МОм·см.

Таблица 2 - Рекомендуемые параметры деионизованной воды, используемой для процессов полупроводниковой технологии

Содержание окисляемой органики, ppb

<10

Содержание тяжелых металлов, ppb

<3

Частиц/литр 0,1-0,2U 0,2-0,3U 0,3-0,5U >0,5U

<1500 <800 <50 <1

Бактерии/100мл

<5

SiO2

3

Содержание ионов, ppb Na+ K+ Cl- Br- NO3- SO42- Общее количество ионов, ppb

0,025 0,05 0,025 0,05 0,05 0,2 <0.2

Сухой остаток, ppm

<0,05

Кроме параметров, указанных в таблице, в рекомендациях SEMI приведены данные по наличию следов ряда металлов в воде. Анализ проводится на содержание следующих металлов: Li, Na, K, Mg, Ca, Sr, Ba, B, Al, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb.

Для воды градации SEMI C7 для всех без исключения указанных элементов допустимая концентрация следов лежит в пределах от 0,001 до 0,005 ppb.

Уровень чистоты жидких химических реактивов, применяемых в производстве интегральных схем, определяется серией международных стандартов и имеет различные градации в соответствии с уровнем сложности интегральных схем.

«Grade 2» имеет обозначение стандарта, начинающееся с символов SEMI C7. Реактивы, имеющие уровень чистоты «Grade 2», используются при изготовлении интегральных схем с проектными нормами в диапазоне 0,8-1,2 мкм, что соответствует требованию задания. В реактивах градации «Grade 2» контролируются посторонние частицы размером 0,5 мкм и выше. Практически во всей номенклатуре реактивов максимальная норма - 25 частиц в 1 мл реактива. В спецификациях на такие реактивы содержание следов металлов указывается 5-10 ppb.

Помимо стандартов для химических реактивов повышенной чистоты разработаны спецификации в виде руководящих материалов.

В соответствии с ними сформированы три уровня (яруса) требований к чистоте: A, B, C (в английском написании - Tier A, Tier B, Tier C). Уровню А соответствуют требования стандарта SEMI C7. Соответственно, реактивы для данного технологического процесса должны отвечать Tier A (ярус A).

Перейти на страницу: 1 2 3

Прочтите также:

Разработка мощного понижающего ШИМ-преобразователя
Прогресс большинства областей современной техники неразрывно связан с успехами энергетической или силовой электроники. Её значимость определяется все возрастающей потребностью в эффекти ...

Проектирование электрохромного индикаторного устройства
Внимательно ознакомиться с описанием изобретения и уяснить принцип действия устройства или устройства, реализующего способ. Изложить принцип действия устройства в пояснительной запис ...

Расчет печатной платы
Анализ схемы электрической принципиальной позволил выделить следующие элементы серии 155: К155ТМ2, К155ЛА3, К155ЛЕ1, К155ЛН1. С учетом количества элементов каждого типа выделим число ко ...

Основные разделы

2019 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru