Описание технологического процесса

Рисунок 3 - Последовательность технологических операций производства МОП-транзистора с диодом Шоттки

В исходную пластину методом ионной имплантации внедряются бор для получения подложки p-типа (рисунок 3, а).

Далее на полученную подложку наносится маскирующий слой диоксида кремния (рисунок 3, б).

После этого с помощью фотолитографии и ионной имплантации фосфора формируются области с повышенным содержанием доноров (рисунок 3, в-е).

В последствии выращивается дополнительный слой диоксида кремния. Так как температура на этой стадии высокая, то примеси фосфора в течение этой операции более равномерно распределяются в толще приповерхностного слоя подложки (рисунок 3, ж).

С помощью очередной фотолитографии удаляем оксид кремния в области, разделяющей сток и исток будущего транзистора (рисунок 3, з).

Теперь самая ответственная во всем цикле производства операция - выращивание подзатворного диэлектрика (рисунок 3, и).

Теперь остается сформировать электроды стока, истока и затвора, а также переход Шоттки. Сейчас упрощенно покажем эту металлизацию (рисунок 3, к-м), а далее более подробно рассмотрим принципы ее формирования (раздел 2.4.5).

Прочтите также:

Система управления роботизированной платформой перемещения предметов
Несмотря на то что современная технология переводит все на уровень сверхбольших чипов и микросхем и в большинстве случаев ремонт представляет собой замену блоков или в крайнем случае чип ...

Синтез системы автоматического управления
1. Описание объекта в переменных состояниях Получили систему В матричном виде А - матрица системы, В - матрица управления ...

Расчёт радиоприёмника ДВ-диапазона
Курсовой проект является завершающим этапом изучения дисциплины “Радиоэлектронные устройства” и имеет цель систематизации, закрепления и расширения теоретических и практических зн ...

Основные разделы

2019 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru