Описание технологического процесса

Рисунок 3 - Последовательность технологических операций производства МОП-транзистора с диодом Шоттки

В исходную пластину методом ионной имплантации внедряются бор для получения подложки p-типа (рисунок 3, а).

Далее на полученную подложку наносится маскирующий слой диоксида кремния (рисунок 3, б).

После этого с помощью фотолитографии и ионной имплантации фосфора формируются области с повышенным содержанием доноров (рисунок 3, в-е).

В последствии выращивается дополнительный слой диоксида кремния. Так как температура на этой стадии высокая, то примеси фосфора в течение этой операции более равномерно распределяются в толще приповерхностного слоя подложки (рисунок 3, ж).

С помощью очередной фотолитографии удаляем оксид кремния в области, разделяющей сток и исток будущего транзистора (рисунок 3, з).

Теперь самая ответственная во всем цикле производства операция - выращивание подзатворного диэлектрика (рисунок 3, и).

Теперь остается сформировать электроды стока, истока и затвора, а также переход Шоттки. Сейчас упрощенно покажем эту металлизацию (рисунок 3, к-м), а далее более подробно рассмотрим принципы ее формирования (раздел 2.4.5).

Прочтите также:

Система сбора и обработки информации
Бурное развитие науки и промышленности, неудержимый рост объемов поступающей информации привели к тому, что человек оказался не в состоянии воспринять и перерабатывать все, ему предназн ...

Разработка микропроцессорной системы
Целью данного курсового проекта является углубление знаний по аппаратным принципам построения устройств микропроцессорной техники и приобретение практических навыков по разработке микроп ...

Проект вычислительной сети организации
В настоящее время использование средств вычислительной техники (СВТ) составляет неотъемлемую часть жизнедеятельности любой организации. Широкое распространение получили информационные вы ...

Основные разделы

2022 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru