Регулирующий транзистор VT1

Находим величину минимального напряжения на входе стабилизатора

Uвх.мин. = Uвых+Uк.э1 мин+ΔU,

где Uк.э1 мин. - минимально допустимое напряжение между эмиттером и коллектором регулирующего транзистора, при котором работа происходит на линейном участке выходной характеристики

Iк = f(Uк.э) приIб =const.

Напряжение Uк.э1 мин. для большинства транзисторов не превышает 1−3 В. Для расчёта примем Uк.э1 мин. = 3 В :вх.мин. = 27+3+3 = 33В

Номинальное и максимальное напряжения на входе стабилизатора с учётом допустимого отклонения напряжения ∆Uвх = ±5 % соответственно равны

Uвх = = =34,74 Ввх. макс. == = 36,477 В

Максимальное и минимальное падения напряжения на участке эмиттер−коллектор регулирующего транзистора VT1

Uк.э1 макс. = Uвх. макс. - Uвых. мин. = 36,477 - (27 - 3) = 12,477 В

Uк.э1 мин. = Uвх. мин. - Uвых. макс. = 33 - (27 + 3) = 3 В

Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе VT1

Pк1 макс. = Uк.э1 макс.· Iн макс = 12,477 · 0,1 = 1,2477 Вт

При выборе транзистора необходимо выполнить условияк1 макс. = Iн. макс≤ Iк1 макс. доп.;к.э1 макс. ≤ Uк.э1 макс. доп.;к1 макс.≤ Pк1 макс.доп.

Выбираем регулирующий транзисторVT1 типа КТ610А со следующими параметрами: коэффициент усиления по току B1 = 100, Uк.э1 макс. доп.= 26 В, Iк1 макс. доп. = 0,7 А, Pк1 макс. доп. = 1,5 Вт.

Согласующий транзистор VT2

Iб1 = = = = 5 мА,к2 = Iэ2 = Iб1 = 5 мАк.э2 макс.=Uк.э1 макс. =12,477 В

Pк2 макс. = Uк.э2 макс. Iк2 = 0,005·12,477 = 62,385 мВт

Выбираем согласующий транзистор VT2 типа KT668Aсо следующими параметрами: коэффициент усиления по току B2 = 80, Uк.э2 макс. доп. = 50 В, Iк2 макс. доп. = 0,5 А, Pк2 макс. доп. = 0,5 Вт, Iб2 ≤ 15 мкА.

.Стабилитрон VD1

В качестве источника опорного напряжения будем использовать кремниевый стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации

Uст = (0,6 ÷ 0,7)· Uвых = (0,6 ÷ 0,7)· 27 =16,2 ÷ 18,9 В

Uоп мин. = 16,2Воп макс. = 18,9В

Выбираем стабилитрон типа Д809 со следующими параметрами: Uст = Uоп = 17,9 В, Iст = 5 мА, Iст макс. = 29 мА.

Прочтите также:

Проектирование устройства захвата и аналого-цифрового преобразования речевого сигнала
Человеческая речь - исторически сложившаяся форма общения посредством языковых конструкций, создаваемых на основе определённых правил. Она позволяет человеку познавать окружающий мир, п ...

РЛС обзора земной поверхности
РЛС обзора земной поверхности, предназначенные для картографирования земной поверхности, решения задач воздушной разведки и т.д., имеют высокую разрешающую способность, определяющую ...

Проект устройства IPS дисплея
Ежегодно в мире производятся тысячи устройств, передающий и принимающих информацию по беспроводным каналам, на базе этих устройств в свою очередь строятся новые сети, использующие та ...

Основные разделы

2019 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru