Особенность процессов, протекающих в приборах на основе GaAs при уменьшении длины можно понять, рассматривая короткие структуры , где
- области, являются областями с повышенным содержанием донорной примеси (
см-3) с размером 0,2 мкм.
- область (канал диода с длиной
) легирована до концентрации
см-3 с размером 0,4 мкм при подаче постоянного напряжения.
На рис. 2.3 показано распределение величины дрейфовой скорости в диоде общей длиной 0,4 мкм из которого видно, что в диоде вблизи катодного контакта существует область, где величина скорости заметно выше чем в остальной части диода.
Размер этой области около 0,2 мкм. Это и есть область так называемого пространственного overshoot. Следовательно если уменьшать длину канала до величин сравнимых с 0,2 мкм влияние неоднородного распределения скорости будет увеличиваться.
Рассматривались полевые транзисторы с барьером Шоттки с общей длиной 1 мкм и 0.6 мкм. Канал транзистора имел легирование см-3. Длина истока и стока для транзистора с длиной 1 мкм была взята 0,25 мкм, для транзистора с длиной 0,6 мкм она составила 0,15 мкм. Размеры затвора меньше 0,125 мкм и 0,075 мкм соответственно для обоих размеров.
Результаты расчета распределения потенциала в диоде показаны на рис. 2.3 и 2.4
Рис. 2.3 Распределение величины дрейфовой скорости в диоде
Рис. 2.4 Распределение величины потенциала по расчетной области транзистора
Рис. 2.5 Расположение эквипотенциальных линий внутри транзистора
Как видно, из приведенных зависимостей вблизи отрицательно заряженного затвора формируется область с отрицательным потенциалом, вытесняющим электроны из канала.
Действие потенциала затвора на распределение электронов в канале и эффективную толщину канала иллюстрировано на рис 2.6 для трех значений напряжения на затворе: -0,2 В, -0, 5 В и -0, 8 В.
Видно уменьшении эффективного размера канала приблизительно в 2 раза при изменении напряжения от -0,2 В, -0, 5 В и -0, 8 В
а) б) в)
Рис. 2.6 Распределение электронов в транзисторе при трех напряжениях на затворе
Результирующие выходные и переходные характеристики транзисторов с длиной 1 мкм и 0,6 мкм показаны на рис. 2.7-2.10
1 - -0,2 В; 1 -
0,1 В; 1 -
0,4 В;
Рис. 2.7 Выходные характеристики транзистора с длиной 1 мкм.
- 0,1 В ; 2-
0,2 В ; 3-
0,5 В ; 4-
0,8 В ;
- 1,0 В ; 6-
1,2 В ;
Рис. 2.8 Переходные характеристики транзистора с длиной 1 мкм
- -0,2 В; 1 -
0,1 В; 1 -
0,4 В;
Рис. 2.9 Выходные характеристики транзистора с длиной 0,6 мкм
- 0,2 В ; 2-
0,45 В ; 3-
1,0 В ; 4-
1,2 В.
Разработка микропроцессорного устройства управления технологическим процессом
В
наше время промышленные предприятия используют автоматизированные
производственные линии. Их применение значительно увеличивает
производительность, обеспечивает стабильное качеств ...
Режимы прохождения луча по оптическому волокну. Связь между понятиями луча и моды
Оптическое
волокно представляет собой двухслойную
цилиндрическую кварцевую нить, состоящую из сердцевины и оболочки. Оболочка
покрыта защитным слоем из акрилатного лака. Сердцевина леги ...
Разработка информационно-измерительной системы утилизации паров бензина из бензобака
Современный автомобиль сегодня представляет собой
нечто более существенное, укомплектованное самой современной электроникой,
способной выполнять практически всю работу, которую прежде вы ...