Анализ технического задания

В настоящее время в основном используются ферритовые и полупроводниковые фазовращатели. Фазовращатели на основе сегнетоэлектриков, электронных пучков и плазмы еще не столь совершенны, и области их применения весьма ограниченны.

К фазовращателям, предназначенным для использования в многоэлементных ФАР, предъявляются многообразные и жесткие требования. Основными среди них являются: минимальное время переключения (изменение фазового состояния) при возможно меньшей мощности управляющего сигнала; достаточная точность установки фазового сдвига, необходимая для выполнения требований к ДН по КНД, УБЛ, точности ориентации главного максимума; электрическая прочность, которая должна быть достаточной для пропускания требуемой импульсной мощности; поперечные габариты ФВ, которые, как правило, не должны превышать 0,5×0,5λ0 с учетом возможности размещения их в полотнах с периодом не более (0,7…0,8) λ0; минимальные потери СВЧ - энергии в полноводных элементах ФВ; система охлаждения, которая должна обеспечивать работу на заданной средней мощности. Снижение потерь СВЧ - мощности и энергии, затрачиваемой на переключение фазы, обеспечивает решение одной из сложнейших проблем в конструировании передающих ФАР - отвода тепла от фазовращающих элементов и стабилизации их температуры.

Применение ферритовых ФВ в большинстве случаев становится целесообразным на частотах 1…2 ГГц и выше. На более низких частотах требуется намагничивать ферритовые элементы до значений, превышающих точку резонанса, что приводит к неизбежности применения весьма мощных и громоздких управляемых магнитных систем.

В настоящее время значительное распространение получили ФВ на полупроводниковых диодных структурах (р-п, p-i-n, n-i-p-i-n). Это обусловлено их малыми массогабаритными показателями, технологической простотой изготовления.

Работа p-i-n-диода основана на изменении активной составляющей сопротивления i-области при положительном смещении, когда через диод протекает ток. При отсутствии положительного напряжения смещения сопротивление диода составляет единицы килоом. При положительном смещении (обычно около 1 В) сопротивление падает до единиц ом и зависит от тока.

Фазовращатели с полупроводниковыми диодами могут быть как проходными (в этом случае их следует рассматривать как четырехполюсники), так и отражательными (двухполюсники).

Выбор того или иного технологического решения производится исходя из технических требований к устройству, с учетом технологических возможностей их реализации.

Прочтите также:

РЛС обзора земной поверхности
РЛС обзора земной поверхности, предназначенные для картографирования земной поверхности, решения задач воздушной разведки и т.д., имеют высокую разрешающую способность, определяющую ...

Моделирование передающей антенны базовой станции систем подвижной радиосвязи
В курсовой работе производится моделирование передающей антенны базовой станции систем подвижной радиосвязи. По заданным требованиям необходимо рассчитать геометрические размеры полотна ...

Технология изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем
Технология интегральных схем, развиваясь исключительно быстрыми темпами, достигла немыслимых успехов. Электроника прошла несколько этапов развития, за время которых сменило ...

Основные разделы

2021 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru