Расчет оконечного каскада

Оконечный каскад представляет собой двухтактный усилительный каскад и предназначен для обеспечения необходимой мощности на нагрузке. Для выбора транзисторов этого каскада рассчитываем необходимые для этого параметры.

Рассчитываем амплитуду тока нагрузки

(2.1)

Принимаем:

Где iк.max - максимальный ток коллектора, А.

Рассчитываем амплитуду выходного напряжения на нагрузке:

(2.2)

Рассеиваемая мощность на коллекторном переходе транзистора [1, стр. 9]:

для режима B:

для режима A:

Находим граничную частоту передачи тока базы [1, стр.11]:

(2.3)

где fв - верхняя граничная частота усилителя, Гц.

Выбор транзисторов оконечного каскада.

В качестве оконечного каскада принимаем транзисторы на основе учета значений следующих параметров: , , а также величин,, , которые приведены в справочнике.

Всем данным условиям удовлетворяют диффузионные мезапланарные транзисторы КТ903А (n-p-n) и КТ902А (p-n-p) у которых:

Pк.доп=30 Вт;

Iк.max=3 А;

Uкэдоп=60 В.

Допустимую рассеиваемую мощность коллектора и постоянное напряжение коллектор-эмиттер с учётом максимальной температуры, при отсутствии данных значений в справочнике, можно рассчитать по следующим формулам:

(2.4)

Для выбранных транзисторов по справочным данным находим:

fгр=3 МГц - граничная частота передачи тока в схеме с ОЭ;

h2120- типовое значение статического коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ;

Cэ=2000 пФ - ёмкость эмиттерного перехода,

Ск=1000 пФ - ёмкость коллекторного перехода,

rБ4=100 Ом - сопротивление базы.

По выходным статическим характеристикам транзисторов VT4, VT5, (Рис.2.1) для рассчитанного значения амплитуды тока нагрузки находим , минимальное остаточное напряжение между коллектором и эмиттером транзисторов, отсекающее область резкого нелинейного изменения выходных статических характеристик.

UОСТ=2,5 В.

Рассчитываем напряжение коллектор-эмиттер в точке покоя [2, стр. 10]

(2.5)

Находим напряжение источника питания:

Выбираем напряжение источника питания: E=36 В, при этом выполняется неравенство E < UК.ДОП.

Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:

(2.6)

Выбираем ток коллектора в точке покоя:

.

По выходной характеристике (рис 2.1) для и находим ток базы покоя: Iб0=0,8 мA.

По выходной характеристике (рис 2.1) находим максимальный ток базы:

i б.max=0,0528 A.

Переносим найденные значения токов Iб0, iб.max на входную динамическую характеристику транзистора (рис 2.2) и определяем напряжение база-эмиттер покоя Uбэ0 и максимальное напряжение между базой и эмиттером.

Uбэ0=0,6 В; Uбэ.max=0,78 В.

Перейти на страницу: 1 2 3

Прочтите также:

Разработка стабилизатора переменного напряжения
Сегодня для построения электронных источников питания аппаратуры широко применяются транзисторные преобразователи, работающие в импульсном режиме. Они обеспечивают необходимые потребител ...

Наземная импульсная радиолокационная станция для поиска и сопровождения атакующих баллистических целей
В данной работе требуется спроектировать наземную импульсную радиолокационную станцию (РЛС) с электронным сканированием по азимуту и углу места, предназначенную для поиска и сопровождени ...

Разработка передающего устройства телеуправления
Аппаратура автоматики системы электроснабжения позволяет обеспечить непрерывный контроль и поддержание заданного режима работы основного оборудования и тем самым повысить его надежность ...

Основные разделы

2019 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru