Расчет оконечного каскада

Оконечный каскад представляет собой двухтактный усилительный каскад и предназначен для обеспечения необходимой мощности на нагрузке. Для выбора транзисторов этого каскада рассчитываем необходимые для этого параметры.

Рассчитываем амплитуду тока нагрузки

(2.1)

Принимаем:

Где iк.max - максимальный ток коллектора, А.

Рассчитываем амплитуду выходного напряжения на нагрузке:

(2.2)

Рассеиваемая мощность на коллекторном переходе транзистора [1, стр. 9]:

для режима B:

для режима A:

Находим граничную частоту передачи тока базы [1, стр.11]:

(2.3)

где fв - верхняя граничная частота усилителя, Гц.

Выбор транзисторов оконечного каскада.

В качестве оконечного каскада принимаем транзисторы на основе учета значений следующих параметров: , , а также величин,, , которые приведены в справочнике.

Всем данным условиям удовлетворяют диффузионные мезапланарные транзисторы КТ903А (n-p-n) и КТ902А (p-n-p) у которых:

Pк.доп=30 Вт;

Iк.max=3 А;

Uкэдоп=60 В.

Допустимую рассеиваемую мощность коллектора и постоянное напряжение коллектор-эмиттер с учётом максимальной температуры, при отсутствии данных значений в справочнике, можно рассчитать по следующим формулам:

(2.4)

Для выбранных транзисторов по справочным данным находим:

fгр=3 МГц - граничная частота передачи тока в схеме с ОЭ;

h2120- типовое значение статического коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ;

Cэ=2000 пФ - ёмкость эмиттерного перехода,

Ск=1000 пФ - ёмкость коллекторного перехода,

rБ4=100 Ом - сопротивление базы.

По выходным статическим характеристикам транзисторов VT4, VT5, (Рис.2.1) для рассчитанного значения амплитуды тока нагрузки находим , минимальное остаточное напряжение между коллектором и эмиттером транзисторов, отсекающее область резкого нелинейного изменения выходных статических характеристик.

UОСТ=2,5 В.

Рассчитываем напряжение коллектор-эмиттер в точке покоя [2, стр. 10]

(2.5)

Находим напряжение источника питания:

Выбираем напряжение источника питания: E=36 В, при этом выполняется неравенство E < UК.ДОП.

Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:

(2.6)

Выбираем ток коллектора в точке покоя:

.

По выходной характеристике (рис 2.1) для и находим ток базы покоя: Iб0=0,8 мA.

По выходной характеристике (рис 2.1) находим максимальный ток базы:

i б.max=0,0528 A.

Переносим найденные значения токов Iб0, iб.max на входную динамическую характеристику транзистора (рис 2.2) и определяем напряжение база-эмиттер покоя Uбэ0 и максимальное напряжение между базой и эмиттером.

Uбэ0=0,6 В; Uбэ.max=0,78 В.

Перейти на страницу: 1 2 3

Прочтите также:

Разработка системы нумерации абонентских линий
Прежде чем создавать системы связи со всем имеющимся оборудованием, необходимо произвести расчеты, опираясь на количество абонентов. Однако здесь нам уже необходимо рассматривать абонен ...

Технология изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем
Технология интегральных схем, развиваясь исключительно быстрыми темпами, достигла немыслимых успехов. Электроника прошла несколько этапов развития, за время которых сменило ...

Построение рациональной системы обнаружения с минимальной стоимостью при заданных показателях качества
система обнаружение безотказный В настоящее время посягательства против собственности составляют значительно больше половины всех преступлений. Вероятность стать жертвой ...

Основные разделы

2019 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru