Разработка технологии изготовления чувствительного элемента

В данном датчике перемещения чувствительным элементом является магнитодиод. Но магнитодиод сам по себе «не дееспособен». Для его нормальной работы была составлена схема электрическая принципиальная усилителя, а по ней была разработана гибридная интегральная плата. Т.о., далее под чувствительным элементом будем понимать гибридную интегральную плату.

Технологический цикл её изготовления можно разделить на два независимых этапа, что обеспечивает простоту изготовления, малую трудоёмкость и стоимость. Первый этап включает в себя процессы формирования на подложке пассивных плёночных элементов и проводников соединений. Второй этап - контрольно-сборочный, начинается с контроля пассивных элементов на подложках. Достаточно большие размеры элементов позволяют осуществлять подгонку их параметров, например, с помощью лазера.

Далее производят разрезание подложек. При изготовлении гибридной интегральной микросхемы платы устанавливают в корпуса, производят монтаж дискретных компонентов, соединение контактных площадок подложек с выводами корпуса, герметизацию корпуса, контроль и испытания.

Для получения рисунка резисторов и проводников с высокой точностью воспроизведения размеров (до единиц микрометров) применяется фотолитография. На подложку последовательно наносят сплошные резистивные и проводящие плёнки. С помощью первой фотолитографии и последующего травления проводящего слоя получают проводники соединений и контакты с резистивным слоем. С помощью второй фотолитографии травят резистивную плёнку и формируют рисунок резисторов. Таким образом, под проводящим рисунком остается резистивный подслой. Он обеспечивает прочность сцепления проводников и контактов с подложкой.

Т.к. рисунок резисторов и проводников достаточно прост, проводящий и резистивный слой будет наноситься через трафареты поочерёдно. Затем проводится монтаж активных элементов (они приклеиваются на плату), выводы элементов развариваются на соответствующие контактные площадки термокомпрессионной сваркой. Далее готовая плата покрывается защитным слоем фоторезиста. Шлейф распаивается с помощью припоя ПОС61.

Приведём описание техпроцесса изготовления магнитодиода:

Пластины кремния толщиной 0,4 ± 0,1 мм с ориентацией [111] шлифуют, полируют до 14-го класса шероховатости и стравливают нарушенный поверхностный слой;

Проводят пиролитическое осаждение окисла кремния толщиной 0,4 ± 0,1 мкм пиролизом и окислением моносилана: SiH4+2O2=SiO2+2H2O. Окись кремния будет служить маской для получения технологических меток;

Нанесение фоторезиста, экспонирование и проявление;

Проводят травление окисла кремния в селективном травителе и удаление фоторезиста;

Проводится фотолитография для получения маски из фоторезиста под ионное легирование бором. Поверхностное сопротивление легированной области должно быть rS= 800 Ом/ÿ. Таким образом, получается область p+-типа проводимости;

Удаление маски фоторезиста проводят плазмохимическим травлением в атмосфере кислорода. После обязательной межоперационной очистки пластин проводится третья фотолитография для формирования маски из фоторезиста под легирование фосфором. Поверхностное сопротивление легированной области должно быть rS=130 Ом/ÿ. Таким образом, получается область n+-типа проводимости;

Перейти на страницу: 1 2

Прочтите также:

РЛС обзора земной поверхности
РЛС обзора земной поверхности, предназначенные для картографирования земной поверхности, решения задач воздушной разведки и т.д., имеют высокую разрешающую способность, определяющую ...

Расчет печатной платы
Анализ схемы электрической принципиальной позволил выделить следующие элементы серии 155: К155ТМ2, К155ЛА3, К155ЛЕ1, К155ЛН1. С учетом количества элементов каждого типа выделим число ко ...

Проект регулируемого двухполярного блока питания
Рост эффективности общественного производства, повышение качества продукции, научные достижения сегодня становятся практически невозможными без широкого применения электронной аппара ...

Основные разделы

2019 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru