Выбор силового транзистора и диода

Опираясь на перечисленные параметры и учитывая, что предельные значения транзистора и диода должны выбираться с запасом, заключаем, что наиболее подходящим силовым транзистором является SKM 400GB125D, а наиболее подходящим силовым диодом SKKD 380.

Характеристики транзистора SKM 400GB125D приведены в таблице 1, а характеристики силового диода в таблице 2.

Таблица 1 - Характеристики транзистора

Обозначение	Значение		Ед. измерения
IGBT
VCES - (постоянное) напряжение коллектор - эмиттер при короткозамкнутых выводах базы - (затвора-) и эмиттера	1200		Вольт
IC - постоянный ток коллектора	400		Ампер
ICRM - периодический (tp=1мс) максимальный ток коллектора	600		Ампер
fsw- частота работы транзистора	20×103		Герц
Freewheeling diode - диод для свободного протекания тока
IF - постоянный прямой ток		390	Ампер
IFRM - повторяющийся импульсный (tp=1мс) прямой ток		600	Ампер
td(on) - время включения		70×10-9	Секунд

Таблица 2 - Характеристики диода

Обозначение	Значение	Ед. измерения
IFAV - максимально допустимый средний прямой ток (sin.180 - полусинусоидальная форма тока)	380	Ампер
VF - постоянное напряжение в открытом состоянии (IF = 1000A)	1.25	Вольт
IRD - постоянный обратный ток запирания	15×10-3	Ампер

Выбор охладителя и тепловой расчет

Для наиболее оптимального выбора охладителя использовалась программа Semisel V3.

Подставив, известные параметры в программу получили результат, приведенный в таблице 3. В таблице 4 приведены значения тепловых потерь.

Таблица 3 - Данные программы

Температура окружающей среды	40○ Цельсия
Радиатор Semikron	WP16_280
Метод охлаждения	Водное охлаждение
Водный поток	6 литров/мин

Таблица 4 - Тепловые потери

Обозначение	Значение
Pcond tr - коммутационная потери на транзисторе	40Вт
Psw tr - потери при прямой проводимости на транзисторе	55Вт
Ptr - общие потери на транзисторе	95Вт
Pcond d - коммутационная потери на диоде	9Вт
Psw d - потери при прямой проводимости на транзисторе	60Вт
Pd - общие потери на диоде	69Вт
Ptot - общие потери на радиаторе	165Вт
Ts - температура радиатора	44°C
Ttr - температура транзистора	55°C
Td - температура диода	59°C

Перейти на страницу: 1 2

Прочтите также:

Охранный комплекс для автомобиля
Целью данной курсовой работы является разработка комплекса устройств охранной сигнализации для автомобиля с использованием микроконтроллеров. На данный момент разработано огромное кол ...

Проект вычислительной сети организации
В настоящее время использование средств вычислительной техники (СВТ) составляет неотъемлемую часть жизнедеятельности любой организации. Широкое распространение получили информационные вы ...

Проект устройства IPS дисплея
Ежегодно в мире производятся тысячи устройств, передающий и принимающих информацию по беспроводным каналам, на базе этих устройств в свою очередь строятся новые сети, использующие та ...

Выбор силового транзистора и диода

Прочтите также:

Основные разделы