Звуковое вешание

В процессе выполнения задания необходимо:

а) по данным таблицы 1 (в соответствии с вариантом задания необходимо выбрать данные для расчета аналогового фильтра нижних частот (АФНЧ). Расчет характеристик фильтра ведется по заданным значениям неравномерности группового времени запаздывания (Amax, дБ) в полосе пропускания (граничная частота fPP ) и требуемому затуханию (Amin, дБ) на граничной частоте полосы непропускания (fpn) (рис. 1)

Рисунок 1

б) рассчитать минимальный порядок АФНЧ Баттерворта и Чебышева;

в) для фильтра имеющего наименьший порядок рассчитать с помощью программной среды MathCAD амплитудно-частотную (АЧХ), фазо-частотную (ФЧХ) характеристики и зависимость группового времени запаздывания от частоты (τ(w));

г) сравнить полученные значения времени запаздывания с нормами для звуковых сигналов в радиовещательных трактах (таблица 2). Если полученные значения для выбранного типа АФНЧ не удовлетворяют нормам, то необходимо выполнить аналогичные расчеты для другого типа фильтра и произвести окончательный выбор типа АФНЧ (если оба типа не удовлетворяют требованиям, то необходимо уменьшить требования к АФНЧ по Amin на 2-10 дБ пока требования не будут удовлетворяться и повторить расчеты.

д) произвести расчет элементов схемы выбранного типа АФНЧ и составить схему.

Исходные данные:

Amin = 60 дБ;

Amax = 3 дБ;

Wn = 1,6;

fв = 5 кГц.

1. Расчет АФНЧ

Для выбранных параметров в программной среде «MathCAD» определяем значения Nb и Nc:

Запишем программы расчета τb(w) и τc(w):

Перейти на страницу: 1 2 3

Прочтите также:

Разработка схемы устройства Цифровой осциллограф с использованием микроконтроллеров
Целью данной курсовой работы является разработка схемы устройства - «Цифровой осциллограф» с использованием микроконтроллеров. Среди последних доминирующее положение занимают однок ...

Определение и исследование спектров сигнала
К числу важных областей науки и техники, достижения которых непосредственно способствуют росту материального и культурного уровня общества, принадлежит радиотехника. Р ...

Субмикронные полевые транзисторы с барьером Шоттки
Характерные размеры современных полупроводниковых приборов могут быть значительно меньше 1 мкм. В таких условиях длина прибора может стать сравнимой со средней длиной свободного пробега ...

Основные разделы

2019 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru