Выбор элементов импульсного преобразователя напряжения

напряжение преобразователь защита перегрузка

Микросхемы генератора импульсов: в качестве микросхемы DD1 используется К561ЛЕ5, включающая в свой состав 4 элемента ИЛИ - НЕ. Микросхема DD2 - К561ЛС2. DD3 - К561ТМ2.

Частота преобразования выбрана равной 100 кГц. Расчёт элементов R3 и C9 проводят по следующей формуле:

Так как частота на выходе устройства в 2 раза меньше, чем на выходе тактового генератора, то частота генератора принимается равной 200 кГц.

Для частоты 200 кГц Т= 0.000005. Если принять С9= 560 пФ, то резистор Ом. Близкий номинал 6.2 кОм.

Длительность паузы равна 1/3 от длительности импульса управления:

Если принять C11= 480 пФ, то Ом. Близкий номинал 3.9 кОм.

Дифференцирующая цепь C10R4 формирует короткие запускающие импульсы высокого уровня. Постоянная времени этой цепочки в несколько раз меньше периода генератора импульсов. Выберем C10= 68 пФ, R4= 10 кОм.

Резисторы R6 - R9 являются делителями напряжения для управления транзисторами VT5, VT6. Резисторы R8, R9 выбраны номиналом 1.5 кОм, R6, R7 - 6.8 кОм. При этом напряжение база - эмиттер этого транзистора выбрано 1.5 В.

Резисторы R14, R15 вместе с ёмкостями затворов полевых транзисторов выполняют роль фильтров нижних частот, уменьшающие уровень гармоник при открывании ключей. Элементы VD7, VD8, R18, R19, C12, C13 также служат для подавления гармоник при открывании ключей., R15= 390 Ом. R18, R19= 10 кОм, 10 Вт. C12, C13= 0.01 мкФ на напряжение 750 В.

Резисторы R10 - R13 - делители напряжения для открывания транзисторов VT7, VT8. R12, R13= 51 Ом. R10, R11= 270 Ом. R2= 1 кОм, при этом через него протекает ток 7 мА.

В качестве транзисторов VT5, VT6 используются любые из серии КТ361. VT2 - VT4 - КТ315. В качестве VT7, VT8 лучше применить малошумящие обладающие хорошими характеристиками транзисторы, например КТ3102.

Транзистор VT1 - КТ815, КТ817.

Для VT9, VT10 наиболее подходят мощные полевые транзисторы КП707.

Диоды VD7, VD8 - по два последовательно соединённых КД212 (). Высокочастотные мощные диоды VD9 - VD16 - КД2997А () или КД2999Б (). VD1 - VD4 - Д246 или другие с прямым током 5 А и обратным напряжением не менее 350 В.- Д814В с напряжением стабилизации 10 В. VD5 - диодная сборка КЦ402.

Конденсаторы C14, C15 и C18, C19 служат для подавления высокочастотных помех. Их ёмкость 4.7 мкФ на 100 В. C16, C17 - 1000…2200 мкФ на 100 В., C2, входящие в высокочастотный фильтр, имеют ёмкость 0.22 мкФ и напряжение не менее 500 В.

С3 - 1500 мкФ на 350 В. Чем больше ёмкость этого конденсатора, тем лучше будет сглаживаться высокое напряжение. С4 - 0.47 мкФ на 350 В.

С5 - 1000 мкф*25 В. С6 - 47 мкф*16 В. С7 - 470 мкф*16 В. С8- 1 мкф*16 В.

Трансформатор питания Т1 любой с напряжением вторичной обмотки 11-15 В и током нагрузки не менее 150 мА.

Катушка L1 наматывается на на ферритовом кольце 2000НМ1 типоразмера К31*18.5*7, она содержит 2*25 витков провода толщиной не менее 1 мм.

Перейти на страницу: 1 2

Прочтите также:

Расчет характеристик радиолинии
Для передачи сигналов от передающей антенны (излучателя) к радиоприёмной антенне в качестве линий передачи энергии часто используют естественную среду. Линию передачи при этом называют е ...

Основы теории кодирования
помехоустойчивость кодирующий матрица Помехоустойчивость является одной из важнейших характеристик современных систем передачи информации. Возможность ее дальнейшего повышения при фиксиро ...

Разработка сети связи с использованием современных технологий
Технология SDH, разработанная изначально для объединения и синхронной передачи по волоконно-оптическим линиям PDH-потоков, давно получила широкое распространение во всем мире. Такие дос ...

Основные разделы

2020 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru