Расчет параметров элементов подлежащих замене

При диагностике модуля кадровой развёртки МКР выявлена неисправность, при которой отсутствует режим усиление каскада по постоянному току, и необходима проверка и замена радиоэлементов. Поэтому для уточнения параметров элементов произведен расчет усилительного каскада выполненного из резисторов R5,R4 и транзистора VT1.

Расчет усилительного каскада выполненного из делителя напряжения R5, R4 и транзистора VT1.

Исходные данные для расчета:

U и.п. = 12 В;

R5 C1-4-0,125-100 Ом± 10%;

R4 C1-4-0,125-9kОм± 10%;

VT1 КТ315В, Pкmax = 0.15 Вт, Iкmax = 100 мА, h21Э

= 30 ÷ 120,

Uкэmax = 40 В, Uэбmax = 2 В, Принимаем Rк = 10 * Rэ

1. Определим максимальную статическую мощность, которая будет рассеиваться на транзисторе в моменты прохождения переменного сигнала, статического режима транзистора. Она должна составлять значение, на 20 процентов меньше максимальной мощности транзистора, указанной в справочнике и рассчитывается по формуле (2.1):

рас.max = 0,8 * Pmax (2.1)

где Pрас.кmax - максимальная статическая мощность рассеивания;кmax - постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.

рас.max = 0,8 * Pmax = 0,8 * 0,15 = 0,12Вт

. Определим ток коллектора в статическом режиме (без сигнала), который рассчитывается по формуле (2.2):

(2.2)

где Iк0 - ток коллектора в статическом режиме (ток покоя);кэ0 - напряжение участка коллектор - эмиттер в статическом режиме;и.п. - напряжение питания транзистора.

. Учитывая, что на транзисторе в статическом режиме (без сигнала) падает половина напряжения питания, вторая половина напряжения питания будет падать на резисторах, то рассчитаем сопротивления нагрузки коллектора и эмиттера по формуле (2.3):

(Rк + Rэ) = (Uи.п. / 2) / Iк0 (2.3)

где Rэ - сопротивление нагрузки эмиттера;

Rк - сопротивление нагрузки коллектора.

(Rк + Rэ) = (12,6 /2) / 0,1 = 65 Ом

Учитывая существующий ряд номиналов резисторов, а также то, что нами выбрано соотношение Rк=10 * Rэ, находим значения резисторов :

к = 60 Ом; Rэ = 6 Ом.

. Найдем напряжение на коллекторе транзистора без сигнала, которое рассчитывается по формуле (2.4):

к0 = (Uкэ0 + Iк0* Rэ) = (Uи.п - Iк0*Rк) (2.4)

где Uк0 - напряжение на коллекторе транзистора без сигнала.

к0 = (2 - 0,1 * 60) = 4,6 В

. Определим ток базы управления транзистором по формуле (2.5):

(2.5)

где Iб - ток базы управления транзистором;Э - статический коэффициент передачи тока транзистора.

=0,0005 А.

. Полный базовый ток определяется напряжением смещения на базе, которое задается делителем напряжения R5, R4. Ток резистивного базового делителя должен быть на много больше (в 5-10 раз) тока управления базы Iб, чтобы последний не влиял на напряжение смещения. Выбираем ток делителя в 5 раз большим тока управления базы и рассчитываем по формуле (2.6)

дел.=10 * Iб (2.6)

дел - ток делителя.

Перейти на страницу: 1 2

Прочтите также:

Разработка системы бесконтактного термометрирования поршня ДВС
Прогнозирование развития какого-либо процесса на основе существующих данных является важным вопросом в любой предметной области. В настоящее время существуют различные системы моделирова ...

Разработка термометра-термостата на интегральном датчике температур DS18B20 и микроконтроллере PIC16F84
Необходимо разработать термометр-термостат на интегральном датчике температур DS18B20, и микроконтроллере PIC16F84. Данное устройство предназначено для измерения температуры и вывода ее ...

Система управления сварочным аппаратом
управление контроллер программный В данной курсовой работе выполняется разработка системы управления сварочным аппаратом. Современные системы управления почти все без исключения использую ...

Основные разделы

2020 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru