Лазерные диоды (ЛД)

Полупроводниковые лазерные диоды, как правило, используются в качестве источников света в высокоскоростных (> 155 Мбит/с) системах дальней связи. Выходная мощность лазерных источников для большинства производителей составляет порядка +3 - +10 дБм (1-10 мВт). Лазерные диоды с большей мощностью (напр., +20 дБм) также начали появляться на рынке. Сейчас достаточно поставить на выходе лазерного источника оптический усилитель, например, типа EDFA чтобы увеличить его выходную мощность до 500 мВт или выше. Одной из причин, заставляющих производителей выпускать лазеры с большей мощностью на выходе, является широкое использование систем DWDM (плотного мультиплексирования по длине волны). Линейные компоненты систем DWDM имеют высокие вносимые потери. Использование таких высоких уровней выходной мощности вместе с оптическими усилителями помогает преодолеть потери в системах DWDM. Лазеры, работающие на таких больших уровнях мощности, принесли ряд проблем, в частности проблему влияния большой мощности на оптические компоненты тракта передачи. Изоляторы, используемые в качестве универсального устройства снижения световой энергии, отраженной в сторону такого лазерного источника, имеют возвратные потери > 80 дБ, что позволяет эффективно снижать отраженную мощность.

Табл. 5 Сравнение характеристик СИД с характеристиками некоторых типов лазерных диодов

Параметр

СИД типа ELED

FP (MLM) - лазер

DFB-лазер с внешним модулятором

Лазер типа VCSEL

Длина волны, нм

850/1310

1310/1550

1550

850/1310

Мощность на стыке с ОВ, дБм

-10 … -15

0,0

0,0

0,0

Спектральная ширина линии, нм

30-60

< 3

<0,1

< 3

Максимальная скорость, Гбит/с

< 0,155

>2

> 10

2

Тип волокна

многомодовое

одномодовое

со сдвигом дисперсии

многомодовое или одномодовое

Цена

низкая

умеренно высокая

высокая

умеренная

MTBF, часы

109

108

107

108

Сравнение ширины спектра излучения СИД и ЛД

На рис. 5 приведены для сравнения формы спектральных линий СИД и лазерного диода.

Рис. 5 Типичные спектры линий, излучаемых СИД и ЛД. Амплитуды спектральных линий были нормализованы (приведены к одному значению).

Фактически пиковая интенсивность ЛД много больше, чем у СИД.

Прочтите также:

Субмикронные полевые транзисторы с барьером Шоттки
Характерные размеры современных полупроводниковых приборов могут быть значительно меньше 1 мкм. В таких условиях длина прибора может стать сравнимой со средней длиной свободного пробега ...

Разработка контроллера управляющего работой холодильника
Развитие микроэлектроники и широкое применение ее изделий в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми разнообразными объектами и процессами является в настоящ ...

Проект сети СПС стандарта GSM Уватского района Тюменской области
сеть покрытие радиосвязь транскодирование Сложный характер и динамизм современных мирохозяйственных связей вызвали резкий спрос на услуги связи, расширение их номенклатуры и качества. В с ...

Основные разделы

2020 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru