Субмикронные полевые транзисторы с барьером Шоттки

Характерные размеры современных полупроводниковых приборов могут быть значительно меньше 1 мкм. В таких условиях длина прибора может стать сравнимой со средней длиной свободного пробега носителей в полупроводнике, а время пролета может оказаться примерно равным или меньше среднего времени релаксации. Как отмечалось в работе, в таких условиях не успевает установиться равновесное распределение, и средняя дрейфовая скорость электронов в активной области прибора может существенно превосходить значения насыщенной или даже максимальной скорости в длинных образцах. Это увеличение скорости за счет нестационарных эффектов получило название «эффекта всплеска скорости». В предельном случае, когда можно полностью пренебречь столкновениями электронов с решеточными фононами и примесями, перенос электронов был назван «баллистическим». Благодаря возможному улучшению характеристик приборов за счет высоких скоростей электронов в приборах малого размера эта область привлекла особое внимание исследователей.

Электронный перенос в коротких приборных структурах весьма сложен.

В настоящей работе он исследуется в субмикронных полевых транзисторах с барьером Шоттки (ПТШ). Наиболее широкое применение на СВЧ находят ПТШ на арсениде галлия, который имеет высокую подвижность электронов. Лучшие образцы полевых транзисторов из арсенида галлия характеризуются коэффициентом шума, 0,5 - 1,4дБ на частотах 0,5 - 18ГГц и 5-6 дБ на частотах миллиметрового диапазона и выше.

    Прочтите также:

    Типовые динамические звенья. Анализ и синтез системы
    Таблица типовых динамических звеньев Дано: Амплитудно-частотная характеристика . Наименование: форсирующее звено . Передаточная функция . Дифференциальное уравнение, описыв ...

    Технология изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем
    Технология интегральных схем, развиваясь исключительно быстрыми темпами, достигла немыслимых успехов. Электроника прошла несколько этапов развития, за время которых сменило ...

    Идентификация испарителя холодильной машины как объекта управления, синтез и анализ системы автоматического управления
    В данной курсовой работе мы будем разрабатывать систему автоматического регулирования простейшей структуры и САР повышенной динамической точности. Целью разработки САР является ...

    Основные разделы

    2020 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru