Субмикронные полевые транзисторы с барьером Шоттки

Характерные размеры современных полупроводниковых приборов могут быть значительно меньше 1 мкм. В таких условиях длина прибора может стать сравнимой со средней длиной свободного пробега носителей в полупроводнике, а время пролета может оказаться примерно равным или меньше среднего времени релаксации. Как отмечалось в работе, в таких условиях не успевает установиться равновесное распределение, и средняя дрейфовая скорость электронов в активной области прибора может существенно превосходить значения насыщенной или даже максимальной скорости в длинных образцах. Это увеличение скорости за счет нестационарных эффектов получило название «эффекта всплеска скорости». В предельном случае, когда можно полностью пренебречь столкновениями электронов с решеточными фононами и примесями, перенос электронов был назван «баллистическим». Благодаря возможному улучшению характеристик приборов за счет высоких скоростей электронов в приборах малого размера эта область привлекла особое внимание исследователей.

Электронный перенос в коротких приборных структурах весьма сложен.

В настоящей работе он исследуется в субмикронных полевых транзисторах с барьером Шоттки (ПТШ). Наиболее широкое применение на СВЧ находят ПТШ на арсениде галлия, который имеет высокую подвижность электронов. Лучшие образцы полевых транзисторов из арсенида галлия характеризуются коэффициентом шума, 0,5 - 1,4дБ на частотах 0,5 - 18ГГц и 5-6 дБ на частотах миллиметрового диапазона и выше.

    Прочтите также:

    Стабилизированный источник вторичного электропитания
    За последние годы резко увеличились темпы технического прогресса, научно-технической революции во многих областях современной техники и, прежде всего в радиоэлектронике и автоматике. ...

    Идентификация испарителя холодильной машины как объекта управления, синтез и анализ системы автоматического управления
    В данной курсовой работе мы будем разрабатывать систему автоматического регулирования простейшей структуры и САР повышенной динамической точности. Целью разработки САР является ...

    Разработка цифрового датчика скорости
    погрешность Поставленная задача звучит таким образом: Программным способом реализовать датчик угловой скорости вращения электродвигателя. В современных системах управлен ...

    Основные разделы

    2022 © Все права защищены! >> www.techeducator.ru